Разработка полупроводниковых инфракрасных излучателей - ИК диодов - одно из самых значительных достижений полупроводниковой техники последних лет. Появился компактный, высокоэффективный, быстродействующий источник инфракрасного излучения, способный сконцентрировать в очень короткой вспышке мощность, многократно превышающую мощность непрерывного его излучения.

Параметры некоторых ИК диодов отечественного производства приведены в таблице.

name	1	2	3	4	5	6	7
АЛ107Г	12(100)		0,94-0,96	2(100)	100	2	25(0.8)
АЛ115В	9(100)	1/0;6	0,9-1	1,8(50)	600*	4	30(0,8)
AЛ119A	40(300)	1/1,5	0,93-0,96	3(300)	300	-	-
АЛ119В	25(300)	0,35/1,5	0,93-0,96	3(300)	300	-	-
АЛ123А	500(10000)*	0,35/0,5	0,94	2(300')	400	0
ЗЛ130А	350(3000)*	1,5/1,5	0,95	3(3000)	300	1
АЛ144А	20(100)	-	0,93-0,98	2(100)	150*	1	50
АЛ145Д	20(100)	-	0,93-0,98	1,6(100)	1100*	-	40
АЛ147А	16/ср(100)	0,3/0,3	0,85-0,89	1,8(100)	1500*	-	40
АЛ156В	12(100)	0,1/0,1	0,82-0,9	1,8(100)	2500*	3	20(0,8)
АЛ162А	100/ср(100)	0,3/0,3	0,85-0,89	1,8(100)	1500*	-	-
АЛ163А	11(100)	0.05/0,05	0.82-0,9	2(100)	1000*	3	70(0,8)
АЛ165Б	15(100)	-	0,87	2(100)	2500*	3	20(0,8)
АЛ168В	400/ср(80)	-	0,85-0,9	1,6(80)	1500*	2	-
АЛ170А	16/ср(40)	0,5/0,5	0,85-0,89	2,3(700)*	1000*	-	20(0,5)
АЛ170Б	40/ср(40)	0,5/0,5	0,85-0,89	2,3(700)*	1000*	-	10(0,5)
АЛ170В	100/ср(40)	0,5/0,5	0,85-0,89	2,3(700)*	1000*	-	4(0,5)

1 - излучаемая мощность Ре, мВт или мВт/ср (при токе в диоде в мА);

2 - время нарастания/спада излучаемой мощности (0,1...0,9Рmax), мкс;

3 - длина волны, соответствующая максимальному излучению, мкм;

4 - падение напряжения на диоде, В (при токе, мА);

7 - угол излучения, в градусах (по уровню Ре max/2);

1. Спектральные характеристики ИК диодов имеют один максимум - Dl- в интервале длин волн 0,87...0,96 мкм..

2. Пространственная плотность излучения измеряется в милливаттах на стерадиан (мВт/ср).

3. Для измерения силы излучения пользуются и другой единицей - милликавделой (мКд). Их соотношение: 1 мКд - 1,683 мВт/ср.

4. При повышении температуры lmax диода смещается в сторону длинных волн